长江存储三期项目提速，量产目标提前一年

1月30日消息，根据业内最新传闻显示，在全球存储芯片供应持续紧缺的背景下，中国最大的NAND Flash制造商──长江存储（YMTC）位于武汉的三期项目（第三座晶圆厂）投资项目正以惊人的速度加快建设，原定于2027年才能达成的量产目标，有望提前至2026年下半年正式启动。

长江存储三期项目于2025年9月正式动工。该项目的公司主体——长存三期（武汉）集成电路有限责任公司（以下简称“长存三期”）成立于9月5日，注册资本207.2亿元。

股东信息显示，长存三期由长江存储持股50.19%、湖北长晟三期投资发展有限责任公司持股49.81%。其中，湖北长晟三期投资发展有限责任公司为湖北国资旗下企业，这一背景为新公司提供了坚实的资本与政策支持。

按照常规半导体建厂周期，需要等到2027年才能具备正式量产能力。但是，据业内人士透露，长江存储近期已开始密集进行NAND Flash 生产设备的采购订单发送与工厂启动设置作业，显示其进度已大幅调整。

消息人士分析指出，晶圆厂从动工到开始量产仅历时约一年多的时间，这在业界极为罕见。这意味着长江存储采取了一种弯道超车的战略，即在工厂主体建筑尚未完全完工的情况下，就同步搬入部分设备并进行生产线的早期调试与运作。

另据长江日报1月29日报道，“长江存储三期项目工地，机器轰鸣，塔吊林立间，工人正在安装巨型洁净厂房设备。‘这是武汉集成电路产业第三个千亿级项目，计划今年建成投产，将带动上下游200家企业聚集。’项目负责人介绍。”从去年9月才正式开工，到现在就已经在安装洁净室厂房设备，足见进度之快。

而这种极速扩产的背后，是长江存储为了在NAND Flash 市场迎接超级循环周期（Super Cycle）时强化自身全球竞争优势的精心布局。与市场供应商相对集中的DRAM 领域不同，NAND Flash 市场竞争者众多，除了三星电子、SK海力士、美光之外，还包括铠侠/Sandisk以及长江存储等。

尽管当前受益于人工智能（AI）热潮，NAND Flash需求大涨，市场供不应求，但由于供应商众多，这种供不应求的状态能持续多久尚不清楚，特别是当大多数NAND Flash厂商的新建产能集中在2027年/2028年开出之时，市场可能会面临较大的价格竞争的风险，如果长江存储三期项目能够更为迅速的在2026年下半年实现量产，那么无疑将为其带来更大的竞争优势。

另一方面，三星电子、SK海力士、美光等头部NAND Flash大厂为了提升获利，都纷纷将产能资源向AI芯片所需的高带宽内存（HBM）及服务器所需的高端DRAM产品倾斜，以满足利润率更高的数据中心客户的需求。这也使得智能手机、PC等消费电子市场的供应受到了排挤，这也使得长江存储有机会借助自身产能的提升来满足这些市场的庞大客户需求，提升市场的影响力和市场份额。

根据市场研究机构Counterpoint Research 的统计，以NAND Flash出货量来统计，长江存储的全球市占率在2025年一季度就首度突破10%大关。到2025年第三季度，其市占率已攀升至13%，较前一年同期大幅增长了4个百分点。如果长江存储三期项目能够在今年下半年量产，那么无疑将进一步助力其市场份额的快速提升。

值得一提的是，2025年11月，湖北日报就曾报道称，长江存储当时正在加快推进三期项目建设。湖北省委书记、省人大常委会主任王忠林专程调研长江存储并主持座谈会时也指出，长江存储“要坚持乘势而上，抢抓机遇做大做强规模能级，进一步完善产品矩阵，积极开拓国内国际市场，持续提升市场占有率。”

这里需要强调的是，长江存储过去多年来的出货量、业绩和市场份额的快速增长并不是单纯地依靠产能的扩张和价格战来实现的，技术层面的突破和产品品质过硬才是关键。

据芯智讯了解，长江存储凭借自研的Xtracking架构的持续演进，已经在3D NAND存储密度、传输速率等方面达到了与三星电子与SK海力士相当的一线水准。更为关键的是，长江存储在生产良率与产品品质方面也获得了高度评价，被认为已具备与全球一线企业一较高下的实力。长江存储旗下存储品牌致态已连续两年荣获京东SSD品类双十一大促交易总额（GMV）及销量双料冠军！

此外，在专利储备上，长江存储也拥有超过11000项专利，其中绝大部分都是发明专利。这也是为什么长江存储敢于在全球多个国家对美光发起专利侵权诉讼的底气。此前还有消息显示，就连三星电子也已经向长江存储购买了面向400层以上CBA（CMOS键合阵列）架构的3D NAND制造所需的混合键合专利。

相关文章《历史首次！三星将使用长江存储专利技术！》

长江存储此次积极的扩产行动，也是在美国商务部将其列入实体清单后，美系设备及零部件和材料上的供应严重受限的背景下进行的。这也反映了长江存储尽管面临诸多限制，依然能够通过搭建“去美化”的生产线来实现扩产。这也与近年来国产半导体设备和材料的持续进步密不可分。虽然这在一定程度上也和NAND Flash制造本身不依赖于先进制程工艺有关。

编辑：芯智讯-浪客剑