北京
国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种提高LED发光效率的外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN121419406A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明属于半导体光电子器件制造技术领域，具体涉及一种提高LED发光效率的外延结构及其制备方法，外延结从下到上依次包括衬底、缓冲层、UGaN 层、NGaN 层、多量子阱有源层、电子阻挡层，在所述多量子阱有源层M个Loop循环中，选择最靠近电子阻挡层的N个Loop的量子垒层掺杂Zn源。Zn掺入会在GaN量子垒的价带中引入空穴，有效降低空穴从p区注入到量子阱的势垒，从而提高空穴与载流子复合效率。Zn原子的引入可以部分补偿InGaN/GaN界面因晶格失配产生的应力。该方法只需在现有成熟的MOCVD工艺中，在生长量子垒时增加一个Zn流量控制系统，无需改变整体结构或大幅调整温度等复杂参数，易于产业化应用。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目46次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息213条，此外企业还拥有行政许可42个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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