北京
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国家知识产权局信息显示，卡尔蔡司SMT有限责任公司申请一项名为“在3D断层扫描期间用于电荷补偿的改良方法和设备”的专利，公开号CN121420190A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种操作双波束系统的改良方法，以及一种在图像形成或离子束铣削期间用于改良减轻充电效应的双波束系统。所述改良方法和该双波束系统利用产生用于电荷排出的暂时传导区、在离子束铣削期间的并行停止充电、或者采用封围在局部气体冲洗体积中的冲洗气体停止充电中至少一者。该改良方法和双波束系统可用于具有提高的准确度的晶片检查。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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