北京
国家知识产权局信息显示，珠海天成先进半导体科技有限公司申请一项名为“一种补入虚拟晶粒的晶圆级封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121419654A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种补入虚拟晶粒的晶圆级封装结构及其制备方法，属于微电子封装技术领域，方法：在第一基体的第一表面通过刻蚀工艺加工形成若干个与虚拟晶粒的布局相适配的凹槽结构；采用真空贴膜压入的方式在若干个凹槽结构的内部形成干膜填充层；提供第一表面贴装有功能芯片的第二基体，第一基体与第二基体通过晶圆键合工艺键合，形成键合组件；沿键合组件中第一基体的第二表面进行减薄处理，直至键合组件在第二表面的方向上露出凹槽结构的底部平面，形成嵌入式虚拟晶粒结构；完成补入虚拟晶粒的晶圆级封装结构的制备。本发明通过整片晶圆键合的制备，能够在保证封装结构的同时补入虚拟晶粒，提高了生产效率，节约了制备的成本并简化了工艺。
天眼查资料显示，珠海天成先进半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本95000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海天成先进半导体科技有限公司参与招投标项目513次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息78条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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