北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法及半导体结构”的专利，公开号CN121398057A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，该方法包括：提供包括具有栅极沟槽的衬底和底部栅极部的基底；其中，栅极沟槽具有底面和侧面；底部栅极部形成于栅极沟槽内靠近底面的区域；栅极沟槽的部分侧面暴露；利用侧向外延工艺，基于栅极沟槽暴露的部分侧面形成沟槽填充部；基于沟槽填充部形成沟道有源结构；以侧向外延工艺的材料生长方向为宽度方向，沿宽度方向，沟槽填充部的宽度等于底部栅极部的宽度，且大于沟道有源结构的宽度；形成覆盖沟道有源结构的侧面和沟道有源结构远离底部栅极部的表面的顶部栅极部，得到包括全环绕栅极的半导体结构。通过本申请实施例，扩大了全环绕栅极结构的有效沟道宽度的变化范围。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1599条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
