北京
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有由纳米线形成的接合焊盘的半导体管芯”的专利，公开号CN121398644A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本文涉及一种具有由纳米线形成的接合焊盘的半导体管芯。一种形成半导体封装的方法包括：提供半导体管芯，半导体管芯包括设置在半导体管芯的上侧处的接合焊盘；提供载体，载体包括管芯附接焊盘和着陆焊盘；将半导体管芯安装在管芯附接焊盘上，其中，接合焊盘背对载体；以及将电互连元件附接在接合焊盘与着陆焊盘之间，其中，接合焊盘是由纳米线形成的。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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