北京
（AI云资讯消息）三星HBM4内存模组有望最早于6月搭载于英伟达Vera Rubin AI系列产品，这标志着三星公司内存业务取得重大突破。
HBM4被业界誉为存储巨头的革命性产品，这归功于其在模组设计上的创新突破。据韩媒最新报道，三星HBM4模组现已率先获得英伟达Vera Rubin AI系列采用资格，预计最早2月即可开始供货。
三星HBM4工艺之所以脱颖而出有多重原因，其中最关键的优势在于三星提供了业界最高的引脚速度。三星HBM4的额定速度达到11Gbps以上，远超JEDEC标准，这主要源自英伟达提出的核心规格要求。随着智能体AI成为下一技术风口，Vera Rubin平台在内存规格上实现重大升级，其核心驱动力正是搭载了三星HBM4模组，该模组以卓越的运行速度与接口宽度著称。
三星HBM4的另一亮点在于采用了源自公司内部晶圆厂的4纳米制程逻辑基础芯片，这相对于计划从台积电采购逻辑芯片的SK海力士和美光而言，更能确保对英伟达的供货时效。鉴于英伟达已迅速将Vera Rubin平台推进至全面量产阶段，供应商必须同步跟上节奏，而三星显然已精准达标。
据披露，Vera Rubin平台的相关客户出货将于8月启动，而Rubin AI芯片将在2026年GTC大会上完整亮相，届时三星的HBM4模组也将成为焦点。
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