存储行业的“世纪变局”，内存价格还能回到过去吗？

【本文仅在今日头条发布，谢绝转载】

作者|深水财经社 乌海

“本来计划2026年换一台新笔记本，结果一看价格，比去年贵了近3000元，只能再等等了。”消费者王先生的吐槽，道出了很多人的无奈。

1月25日，韩国媒体率先披露，全球存储芯片巨头三星电子已正式敲定2026年第一季度NAND闪存供应价格，上调幅度高达100%以上。

这一涨幅直接翻倍的激进定价，不仅远超野村证券、TrendForce等机构此前33%-38%的预期，更将自2025年以来的内存涨价潮推向了新的顶峰。

紧随三星之后，SK海力士、铠侠、美光等存储巨头纷纷跟进，要么同步上调NAND价格，要么延续此前DRAM涨价70%的策略，

被炒上天的内存价格，还能回到曾经“白菜价”的过去吗？

深水财经社结合媒体的公开报道和行业权威报告，我们一步步拆解这场存储行业的“世纪变局”。

一、内存产能何时能上来？

面对翻倍的供货价和持续暴涨的内存价格，很多人都会问，这场涨价潮会持续多久？内存产能什么时候能恢复？

价格的走势完全取决于产能，预测价格首先要预测未来的产能走势。

内存产能的恢复，核心取决于三个因素：原厂产能转移回补、新建产能爬坡、国产产能释放，而这三个因素，短期内来看都难以实现重大突破，尤其是DDR4，已彻底进入“产能萎缩期”。

首先看DDR4，其产能已不可能回到涨价前的水平。根据集邦咨询数据，2025年一季度，全球DDR4月产能约45万片晶圆，占DRAM总产能降到了35%，这是还没算完。

从2025年Q2开始，三星、美光等巨头纷纷宣布停产DDR4，将产能永久转移至HBM、DDR5等高毛利产品，导致2026年Q4全球DDR4存量产能仅能稳定在2024年底的20%-25%，相当于月产能不足11万片晶圆，仅为涨价前的五分之一。

唯一能缓解DDR4紧缺的，只有国产产能。

长鑫存储公告显示，其DDR4产能将在2026年Q3扩产30%，良率提升至85%，但即便如此，其DDR4月产能也仅能增加3-4万片晶圆，难以弥补韩系厂商停产带来的缺口，未来DDR4的供给，主要依靠二手晶圆、渠道库存释放，以及长鑫存储的少量产能，仅能满足工业级、嵌入式等刚需场景，消费级DDR4将持续紧缺。

再看DDR5，其产能恢复相对乐观，但也需要等到2027年Q2。

2024年底，全球DDR5月产能约60万片晶圆，占DRAM总产能的40%；根据三星、SK海力士、美光的产能规划，到2026年Q3，三星平泽P4、SK海力士龙仁工厂的1γ/1c制程产能将逐步爬坡，2027年Q2实现满产；美光犹他州新厂将于2027年Q1投产，月增5万片晶圆；长鑫存储DDR5产能将在2026年Q4扩产50%，良率提升至75%，2027年Q2将贡献全球12%的DDR5产能。

综合来看，2027年Q2，全球DDR5月产能将达到72-78万片晶圆，恢复至2024年底的120%-130%，2027年Q4将进一步提升至90万片晶圆，达到2024年底的150%。但DDR5产能的释放，仍面临一个核心约束——HBM产能冲突。

数据显示，HBM（高带宽内存）目前消耗全球内存月产能的53%，而HBM主要用于AI服务器，是GPT-4、Sora等大模型运行的核心部件，需求极为旺盛。

2026年，HBM3E、HBM4订单已排至2027年，三星、SK海力士等巨头不得不将大部分产能优先分配给HBM，这就导致DDR5产能释放滞后，即便到2027年Q2，DDR5的产能也无法完全满足所有需求，尤其是服务器级DDR5，仍将持续紧缺。

NAND闪存的产能情况与DDR5类似。2025年，全球NAND总产能同比下滑15%，消费级产能收缩25%，三星、SK海力士、铠侠等巨头优先分配晶圆给企业级与AI长期合约客户，现货市场流通货源锐减。

2026年，尽管各大厂商会逐步扩大NAND产能，但先进制程（176/232层3D NAND）的扩产周期长达2-3年，短期难以弥补旧制程退出的缺口，2027年Q2之后，NAND产能才会逐步恢复至2024年底的水平，2028年实现供需平衡。

二、价格拐点何时出现？

结合集邦咨询、TrendForce、高盛等权威机构的预测，以及三星、长鑫存储等企业的产能规划，我们初步认为，DDR4产能永远回不到涨价前水平，DDR5产能可能2027年Q2才会逐步恢复，而价格要到2027年Q2才会实质性回落，而想要回到2024年底之前的低价，几乎不可能。

上文对于产能的分析结论，直接决定了价格的走势。

结合TrendForce、高盛等机构的预测，内存价格的走势将分为四个阶段，呈现“涨幅收敛→高位震荡→分化回落→理性回归”的格局，其中DDR4先于DDR5见顶，NAND价格跟随DDR5同步回落。

第一阶段，短期（2026年Q1-Q2）：主升浪延续，涨幅收敛。这一阶段，三星NAND价格翻倍的效应将全面显现，DDR4、DDR5价格继续上涨，但涨幅会逐步收窄。

驱动这一阶段涨价的核心因素，仍是头部厂商控产保价、云厂商恐慌性锁单，以及消费电子厂商的补库存需求，供需缺口仍将维持在3%-5%。

第二阶段，中期（2026年Q3-Q4）：高位震荡，拐点初现。随着三星、SK海力士等巨头1γ/1c制程产能逐步爬坡，以及长鑫存储DDR5、DDR4产能释放，市场供需缺口将收窄至0-2%，价格进入高位震荡阶段。其中，DDR4价格将在2026年Q3见顶，Q4环比回落5%-10%；DDR5价格在Q3高位震荡，Q4部分通用型DDR5价格持平，服务器级DDR5因AI需求支撑仍保持坚挺；NAND闪存价格在Q3见顶，Q4环比回落3%-8%。

这一阶段，渠道库存将逐步回升，缓解现货紧张，抑制价格进一步上涨，但由于HBM需求仍旺，DDR5、NAND价格难以出现大幅回落。

第三阶段，长期（2027年Q1-2028年Q1）：分化回落，理性回归。2027年Q2将成为内存价格回落的关键拐点，美光犹他州新厂投产，长鑫存储DDR5扩产落地，三星、SK海力士HBM良率提升至80%，产能效率翻倍，部分产能回流至DDR5、NAND，市场供需转为轻微过剩（3%-5%），价格开始实质性回落。

具体来看，2027年Q2，DDR5价格将回落15%-20%，NAND闪存价格回落12%-18%；2027年Q4，DDR5价格再降10%-15%，NAND价格再降8%-12%；2028年Q1，全球DDR5产能达到2024年底的150%，NAND产能恢复至2024年底的130%，供需实现平衡，价格回归理性区间。

而DDR4的价格走势，将与DDR5、NAND有所不同。由于DDR4产能永久萎缩，其价格将在2026年Q3见顶后，逐步回落，但难以回到2024年底的水平，2027年Q2将回归至2024年底价格的1.5-2倍，之后维持在这一区间，成为“小众刚需品”，价格波动将逐步减小。

三、价格走势三大不确定性

需要注意的是，价格回落的节奏，仍存在三大不确定性，可能导致回落时间延迟或幅度缩小。

一是AI需求超预期，如果GPT-5等新一代大模型带动HBM需求再爆发，三星、SK海力士等巨头可能进一步挤压DDR5、NAND产能，价格回落可能延迟至2027年Q4。

二是产能释放延迟，如果三星、SK海力士新厂良率爬坡不及预期，或美光新产能投产延期，供需缺口将持续扩大，价格高位维持至2028年。

三是国产替代加速，国产存储厂商的崛起，正在成为打破寡头垄断的重要力量。尽管目前仍与韩系厂商存在差距，但随着技术迭代和产能扩张，国产存储将逐步缓解国内市场的紧缺压力，推动价格逐步回归理性。

如果长鑫存储良率提升至85%以上，2026年Q4扩产超预期，可能推动DDR5、NAND价格提前3-6个月回落。

内存，早已不再是曾经那个“成本部件”，而是成为了AI算力时代的核心基础设施，需求端从“消费驱动”转向“AI+消费双驱动”，供给端则进入“寡头垄断+产能刚性”的格局，这种供需结构的重构，决定了内存价格再也回不到2024年底之前的“白菜价”。

作品声明：仅在头条发布，观点不代表平台立场