北京
国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“改善关键尺寸负载效应的方法和半导体工艺设备”的专利，公开号CN121398558A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种改善关键尺寸负载效应的方法和半导体工艺设备。该改善关键尺寸负载效应的方法包括：提供衬底，衬底上形成有叠层结构，叠层结构包括第一掩膜层、第二掩膜层、第三掩膜层和图案化光刻胶层，图案化光刻胶层包括密集区域和稀疏区域；以图案化光刻胶层为掩膜，利用第一刻蚀工艺刻蚀第三掩膜层，其对第三掩膜层进行过刻蚀，以刻蚀部分第二掩膜层，工艺气体中的刻蚀气体包括碳氟类气体和碳氢氟类气体，碳氢氟类气体的流量大于碳氟类气体的流量；再依次对第二掩膜层、第一掩膜层进行刻蚀。本发明能避免由于密集区和稀疏区的聚合物差异带来的关键尺寸负载效应，实现刻蚀均匀性的提升，提升器件的性能。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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