北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“制造半导体结构的方法”的专利，公开号CN121398472A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种制造半导体结构的方法，此方法包括以下操作。在基板上形成导电结构。形成钨层以覆盖基板与导电结构。在钨层上形成硬遮罩叠层。图案化硬遮罩叠层。通过硬遮罩叠层蚀刻钨层。移除硬遮罩叠层。在钨层上形成硬遮罩叠层包括以下操作。在钨层上形成碳基层。对碳基层注入碳，使碳基层具有‑0.5GPa至‑5GPa的应力。在碳基层上形成硅层。在硅层上形成氧化层。本发明的方法可解决碳基层及其相邻层之间的剥离问题。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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