北京
国家知识产权局信息显示，无锡龙夏微电子有限公司取得一项名为“一种集成沟槽肖特基的MOSFET”的专利，授权公告号CN223829849U，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种集成沟槽肖特基的MOSFET，包括装置本体，所述装置本体内包含有下壳体，所述下壳体前端设有上盖壳，所述下壳体和上盖壳内均开设有安装槽，所述安装槽内安装有芯片，所述芯片下方连接有对接扣，所述对接扣上卡接有L扣槽，所述L扣槽和对接扣内均开设有螺孔且L扣槽下方连接有引脚，所述螺孔内螺接螺栓，所述下壳体外侧壁上安装有连接扣，所述上盖壳内固定设有转轴，所述下壳体内开设有卡槽，所述卡槽内活动卡接有卡扣，能够对装置外壳进行翻转拆卸，方便使用者对装置内部进行检修和维护，使得更换过程更加简单快捷，提高了装置的灵活性和便利性，避免了传统外壳拆卸需要逐一拆卸螺丝而需要花费较多时间的问题。
天眼查资料显示，无锡龙夏微电子有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡龙夏微电子有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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