北京
国家知识产权局信息显示，深圳市锦瑞新材料股份有限公司申请一项名为“高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法”的专利，公开号CN121358293A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及倒装封装技术领域，公开了高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法。该方法通过构建耦合聚焦声场、自下而上温度梯度与电化学反应的多物理场环境，利用声流效应强化孔底传质，结合热梯度提升底部反应速率，并基于原位交流阻抗实时调控声场焦点与电流密度，实现无缺陷自底向上填充。该系统包括电解液槽体、热控模块、相控声学换能器阵列、电化学工作站、阻抗监测单元及中央控制单元。本发明显著提升了填充致密性与工艺重复性，适用于深宽比超20:1的极端结构，为高性能芯片3D封装提供关键技术支撑。
天眼查资料显示，深圳市锦瑞新材料股份有限公司，成立于2009年，位于深圳市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本8274.2985万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市锦瑞新材料股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可18个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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