北京
国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种薄膜沉积设备、沉积方法及一种介质”的专利，公开号CN121344553A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种薄膜沉积设备及一种薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括反应腔室、第一气源、第二气源、检测器和抽气泵。该反应腔室用于容纳晶圆。该第一气源用于向反应腔室提供第一工艺气体。该第二气源用于向反应腔室提供第二工艺气体。该检测器的第一端经由第一管道连接第一气源及第二气源，第二端经由第二管道连接反应腔室，其中，检测器至少用于检测流进第二管道的气体种类。该抽气泵经由第三管道连接第二管道，用于在第二管道中含有非目标种类的气体时，从第二管道中抽气。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息440条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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