北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“三维磁场监控器件及其制造方法”的专利，公开号CN121358169A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种三维磁场监控器件及其制造方法。该器件包括：设置在半导体衬底内的水平霍尔器件、至少一个垂直霍尔器件以及用于将二者隔离的隔离结构。其中，水平霍尔器件的有源区为具有第一导电类型的第一掺杂区，垂直霍尔器件的有源区为具有相同导电类型的第二掺杂区，且第二掺杂区的结深大于第一掺杂区的结深。本发明还公开了相应的制造方法。本发明通过巧妙利用标准BCD工艺平台中不同深度的现有掺杂层，无需增加额外光刻步骤，即可在单一芯片上经济高效地集成高性能、低噪声且隔离良好的三维磁场监控模块，具有工艺兼容性好、成本低、集成度高的优点。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1969条，此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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