北京
国家知识产权局信息显示，深圳市达芯半导体科技有限公司申请一项名为“真空封装探测器漏气率激光诱导测试方法及装置”的专利，公开号CN121347064A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种真空封装探测器漏气率激光诱导测试方法及装置。真空封装探测器漏气率激光诱导测试方法包括：采用第一激光源，扫描待测真空封装的接缝，其中，在第一激光源的作用下，待测真空封装的接缝的泄露气体具有红外可探测特征；基于红外探测技术探测待测真空封装的接缝，以获取第一红外探测数据；特征提取第一红外探测数据，得到漏气特征数据；解析漏气特征数据，确定待测真空封装的漏气率检测结果。真空封装探测器漏气率激光诱导测试方法通过利用激光扫描与热信号激发的原理，确保泄漏气体具有红外可探测特征，通过新型非接触式漏气检测技术，实现了真空封装漏气的快速、高敏、无损定量检测，大幅提升漏气检测方案的检测效率与灵敏度。
天眼查资料显示，深圳市达芯半导体科技有限公司，成立于2025年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市达芯半导体科技有限公司专利信息8条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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