北京
国家知识产权局信息显示，深圳市星耀半导体有限公司申请一项名为“基于高带宽内存的缓存优化方法、系统、电子设备及介质”的专利，公开号CN121349907A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，一种基于高带宽内存的缓存优化方法、系统、电子设备及介质，涉及数据处理技术领域。该方法包括：通过获取NAND闪存数据块的访问频率、类型和时间间隔等访问数据，计算访问热度值并进行缓存优先级分类。根据各优先级的数据块数量，动态调整扩展缓存层与NAND闪存中缓存区的容量分配比例，确定待迁移数据块。利用硅中介层的TSV通孔阵列和交叉开关矩阵建立缓存通道，规划缓存优化路径。当缓存通道带宽使用率超过阈值时，根据偏差率调整优化路径。最后基于优化路径执行数据块的缓存迁移操作。实施本申请提供的技术方案，实现了闪存数据的智能缓存管理，能够提高存储系统的缓存效率。
天眼查资料显示，深圳市星耀半导体有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市星耀半导体有限公司财产线索方面有商标信息6条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可4个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
