北京
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质”的专利，公开号CN121348661A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质，套刻误差的测量方法包括：获取第一状态下的产品晶圆和参考晶圆的第一参考套刻误差，第一参考套刻误差为产品晶圆上的第一前层套刻标记与参考晶圆上的第二前层套刻标记之间的套刻误差；获取第二状态下的产品晶圆和第一状态下的参考晶圆的第二参考套刻误差，第二参考套刻误差为产品晶圆上的当层套刻标记与参考晶圆上的第二前层套刻标记之间的套刻误差；根据第一参考套刻误差和第二参考套刻误差之间的偏差，获取产品晶圆的当层套刻标记和第一前层套刻标记的套刻误差。本发明实施例中获取套刻误差不受第一前层套刻标记与当层套刻标记之间纵向距离的限制，有利于降低获得套刻误差的难度。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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