北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“NIFE刻蚀方法”的专利，公开号CN121341932A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种NIFE刻蚀方法，其用于MEMS，执行离子束刻蚀包括以下步骤：以第一角度自沿第一方向执行第一时长离子束轰击；以第二角度自沿第二方向执行第一时长离子束轰击；以第三角度自沿第二方向执行第二时长离子束轰击；以第四角度自沿第二方向执行第二时长离子束轰击；其中，第一角度、第二角度、第三角度和第四角度不相同，第一时长大于第二时长，第一方向和第二方向相反。本发明在原有90度/270度主刻蚀之后，追加180度/360度两个对称角度轰击，利用斜向离子束物理溅射把X向侧壁的聚合物彻底去除，阻断后续酸性腐蚀路径，能避免NIFE刻蚀中腐蚀性成分生成，降低X方向噪音，提升良品率。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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