SK海力士、三星加速HBF商业化进程，存储材料设备板块或受益于国内存储大厂融资扩产

截至2026年1月19日 10:20，上证科创板半导体材料设备主题指数（950125）下跌0.80%。成分股方面涨跌互现，和林微纳领涨5.26%，中船特气上涨4.69%，华海诚科上涨3.24%；晶升股份领跌6.16%，安集科技下跌3.70%，有研硅下跌3.25%。科创半导体ETF（588170）下跌1.82%，最新报价1.88元。流动性方面，科创半导体ETF盘中换手15.08%，成交9.43亿元，市场交投活跃。

截至2026年1月19日 10:21，中证半导体材料设备主题指数（931743）下跌0.64%。成分股方面涨跌互现，康强电子领涨7.37%，中船特气上涨4.71%，华海诚科上涨3.14%；晶升股份领跌5.95%，安集科技下跌3.61%，天岳先进下跌3.32%。半导体设备ETF华夏（562590）下跌0.77%，最新报价2.05元。流动性方面，半导体设备ETF华夏盘中换手7.22%，成交2.06亿元。

消息面上，据韩国经济日报等外媒报道，SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF标准的制定。该公司计划最早于今年推出HBF1（第一代产品）样品，该产品预计采用16层NAND闪存堆叠而成。据“HBM之父”韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩透露：“三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。”他进一步指出，待迭代至HBM6，HBF将迎来广泛应用，届时单个基础裸片将集成多组存储堆栈。他预测，2至3年内，HBF方案将频繁涌现，到2038年左右，HBF市场将超过HBM市场。

华福证券认为，存储板块业绩释放分为三个阶段，模组厂涨价直接受益>扩产拉动设备厂订单>稼动率提升和扩产提升材料用量。在国内存储大厂融资扩产的背景下，我们看好存储材料和设备板块后续的业绩表现。

相关ETF：公开信息显示， 科创半导体ETF（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中 半导体设备（60%）和半导体材料（25%）细分领域的硬科技公司。 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性，受益于人工智能革命下的半导体需求，扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。

半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金（A类：020356；C类：020357），指数中半导体设备（63%）、半导体材料（24%）占比靠前，充分聚焦半导体上游。