北京
国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN121358071A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件。该半导体外延结构包括依次设置的衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，p型半导体层包括第一p型氮化物层，其沿远离发光层的方向设置有至少一个P型势垒层，P型势垒层包括沿远离发光层的方向依次设置的P型势垒前层、局域结构插入层和P型势垒后层；局域结构插入层包括第一微结构与第二微结构，P型势垒前层与后层接触的表面具有第一凹槽，第一凹槽内设置有第一微结构；P型势垒后层与前层接触的表面具有与第一凹槽对应的第二凹槽，第二凹槽内设置有第二微结构。第一微结构、第二微结构之间因带隙差异能够形成极化效应，从而形成二维空穴气，提高第一p型氮化物层的空穴浓度。
天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息378条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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