北京
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国家知识产权局信息显示，国网安徽省电力有限公司电力科学研究院；中国科学技术大学申请一项名为“陶瓷绝缘子的介电击穿相场模拟方法、系统及存储介质”的专利，公开号CN121331310A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种陶瓷绝缘子的介电击穿相场模拟方法、系统及存储介质，方法包括采用Grasshopper插件对陶瓷绝缘子的非均匀多孔洞结构进行批量建模，生成陶瓷绝缘子的二维模型文件；将所述二维模型文件导入COMSOL软件，并分别对孔洞和基体赋予材料属性；分别对多孔洞结构和基体进行网格划分，并定义边界条件；基于材料属性、网格划分结果和边界条件，求解介电击穿演化路径的计算模型，得到陶瓷绝缘子非均匀多孔结构对介电性能和击穿演化的影响规律；本发明利用Grasshopper插件可快速的建立与实际非均匀多孔结构高度相似的模型，同时利用COMSOL软件进行相场电击穿模拟，得出结构—性能关系规律。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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