北京
国家知识产权局信息显示，富芯晶圆制造（深圳）有限公司申请一项名为“一种高纯度碳化硅及其制备方法”的专利，公开号CN121317757A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明实施例涉及半导体材料制备技术领域，公开一种高纯度碳化硅及其制备方法。该高纯度碳化硅制备方法包括如下步骤：将碳化硅原料投入坩埚装置内的原料区域，并将坩埚装置抽至真空，向真空状态的坩埚装置内输入惰性气体至工作气压为100Pa~200Pa，加热进行反应；其中，坩埚装置的底部为原料区域，坩埚装置的底部和顶部之间依次设置有过滤层和结晶层；其中，坩埚装置对应于原料区域的温度为2350~2400℃，结晶层的温度为2200℃~2260℃，坩埚装置顶部的温度为2290℃~2350℃，加热处理时间为50h~80h。该制备方法能够得到纯度高、颗粒均匀、结晶形态好、具有明显晶面的碳化硅。
天眼查资料显示，富芯晶圆制造（深圳）有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本4300万人民币。通过天眼查大数据分析，富芯晶圆制造（深圳）有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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