国家知识产权局信息显示,富芯晶圆制造(深圳)有限公司申请一项名为“一种高纯度碳化硅及其制备方法”的专利,公开号CN121317757A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明实施例涉及半导体材料制备技术领域,公开一种高纯度碳化硅及其制备方法。该高纯度碳化硅制备方法包括如下步骤:将碳化硅原料投入坩埚装置内的原料区域,并将坩埚装置抽至真空,向真空状态的坩埚装置内输入惰性气体至工作气压为100Pa~200Pa,加热进行反应;其中,坩埚装置的底部为原料区域,坩埚装置的底部和顶部之间依次设置有过滤层和结晶层;其中,坩埚装置对应于原料区域的温度为2350~2400℃,结晶层的温度为2200℃~2260℃,坩埚装置顶部的温度为2290℃~2350℃,加热处理时间为50h~80h。该制备方法能够得到纯度高、颗粒均匀、结晶形态好、具有明显晶面的碳化硅。
天眼查资料显示,富芯晶圆制造(深圳)有限公司,成立于2022年,位于深圳市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本4300万人民币。通过天眼查大数据分析,富芯晶圆制造(深圳)有限公司财产线索方面有商标信息3条,专利信息18条,此外企业还拥有行政许可3个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.