北京
国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN121335132A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供基底，基底上形成有栅极，栅极两侧的基底内形成有源/漏极；在栅极与源/漏极上形成掺杂有N型离子的硅阻挡层；形成金属层，金属层覆盖硅阻挡层、栅极的侧壁以及基底；进行第一次高温退火工艺，使得金属层中的金属元素扩散至硅阻挡层内并继续扩散至栅极、源/漏极内并反应形成金属硅化物。本发明通过在栅极与源/漏极上形成掺杂有N型离子的硅阻挡层，能够降低金属元素向栅极、源/漏极内进行扩散的扩散速度，达到抑制金属元素过扩散的目的，从而改善金属硅化物的均一性，同时避免了有效沟道长度的降低，减小了器件的漏电，提高了器件性能与器件良率。
天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本838268.7172万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1733次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息783条，此外企业还拥有行政许可43个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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