北京
国家知识产权局信息显示，深圳市飞荣达科技股份有限公司申请一项名为“一种碳基膜结构及其制造方法”的专利，公开号CN121335083A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及碳基膜成型技术领域，公开了一种碳基膜结构及其制造方法，铜箔层设置于导电与绝缘组件的表面，碳基膜设置于铜箔层的表面，碳基膜的尺寸小于铜箔层的尺寸，第一麦拉层覆盖于碳基膜的表面，第一麦拉层的边缘与铜箔层相连接，以将碳基膜包裹；通过将碳基膜的尺寸小于铜箔和第一麦拉层，可使得碳基膜被铜箔层与第一麦拉层包裹；该结构的全包裹设计实现碳基膜全方位防护，保障电子元件精密触点与电路清洁；铜箔层增强导电性，导电与绝缘组件兼顾功能需求，整体结构兼顾防护性、导电性与实用性，适配无线充等电子产品的高精度使用场景；同时铜箔的塑形能力，可提高产品不同层面立体加工。
天眼查资料显示，深圳市飞荣达科技股份有限公司，成立于1993年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本58186.3431万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市飞荣达科技股份有限公司共对外投资了25家企业，参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息25条，专利信息374条，此外企业还拥有行政许可98个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
