我国光刻机从世界前列到落后世界20年，根源就四个字：造不如买

中国半导体起步时，底子其实不薄。新中国成立没几年，就把晶体管技术当成国防和计算的支柱来抓。科研队伍从材料提纯入手，逐步搞定三极管生产。

60年代初，硅平面管出来时，已经涉及光刻步骤，那时候国内团队在实验室里一步步验证曝光工艺，确保线路清晰。1965年，第一台接触式光刻机问世，跟美国产品只差几年。

当时全球这块玩家少，日本刚起步，韩国台湾还没动静。中国工程师靠有限设备，硬是把精度控制在可接受范围，这为后期集成电路打下基础。

70年代，进展没停。1977年，半自动光刻机面世，把圆片直径从50毫米提到75毫米，自动化水平上台阶。团队分工细致，有的专攻光学系统，有的优化机械对准。

1980年，清华搞出分步投影机，线宽到3微米，跟国际主流持平。那时期，中国在分布技术上追得紧，差距控制在几年内。科研人知道，这关乎国家电子工业命脉，咬牙坚持，逐步积累经验。

1985年，机电部单位推出样机，通过鉴定，相当于美国1978年产品水平，阿斯麦在那时刚成立，市场份额小。

80年代中后期，风向变了。国际关系改善，西方设备能进口，以前买不到的突然摆上货架。光刻研发本就耗时费力，有人觉得直接采购更实惠，省下力气干别的。

这个思路渐渐成为主流，决策层开始权衡成本。结果，一批项目搁置，资金转向引进。企业转而依赖海外机器，短期产量上去了，自研能力却弱了。科研队伍部分解散，积累的工艺经验中断。

半导体产业链开始脱节，设计和制造各自为政，本土迭代慢下来。

“造不如买”这四个字，看似聪明，实际埋雷。它让中间环节获利，却让核心技术“空心化”。以前只落后几年，现在差距拉到20年。国外企业整合供应链，中国却在低端组装徘徊。

90年代末，意识到问题，国家重启计划，但已错过窗口。瓦森纳协议加码，限制中国买先进设备，只能拿落后两代的货。

科研人回想那些年，总觉得遗憾，本该并肩的机会，就这么溜走。依赖进口的代价，一旦封锁，就露底。

2002年，上海微电子公司成立，扛起攻关旗帜。团队从90纳米起步，逐步测试样机，克服光学和工件台难题。政策支持下，大基金注入，产业链渐连起来。

2016年，量产三种光刻机，市场占有率升。但高端仍卡在193纳米光源，浸没式技术追赶中。相比阿斯麦的5纳米，中国还在28纳米门槛挣扎。工程师们知道，路长，但得一步步走。

早期先驱的努力，本该延续，却因中断影响长远。现在，全球市场转向大陆，自给率在提升。

核心技术握在手里，才稳。那些年，买现成省了小钱，但丢了大局。科研老人常说，坚持自研虽苦，换来独立。半导体关乎国家安全，芯片制造离不开光刻环节，国外垄断时，中国被动挨打。

中国队伍壮大，投资加速，设计制造均衡。未来，突破高端，得靠持续投入和协作。回首历程，“造不如买”让产业被动多年，但也提醒大家，自主之路别再拐弯。

如今，中国光刻虽在中低端站稳，高端仍需努力，全球封锁下，自力更生成共识。