北京
国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司申请一项名为“电镀凸块形成方法、电镀槽、电镀系统及电子设备”的专利，公开号CN121295284A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种电镀凸块形成方法、电镀槽、电镀系统及电子设备，其中，所述方法包括：提供待电镀晶圆；将待电镀晶圆的凸块下金属化层浸入到电镀槽；电镀槽的阳极区域包括多个子阳极区域，多个子阳极区域围绕其圆心呈同心状，且以其圆心为基准，向阳极区域的外边缘依次排布；各个子阳极区域内的阳极块形成的阳极平面至凸块下金属化层之间的垂直距离，在各个子阳极区域的排布方向上依次增大；对电镀槽进行通电处理，使得多个子阳极区域内的阳极块发生反应，形成电镀凸块。本发明实施例提供的技术方案，可提高晶圆上形成的电镀凸块的均匀性，以提高芯片的性能和成品率。
天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息500条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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