北京
国家知识产权局信息显示，中环领先半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种减少抛光烧结的抛光方法”的专利，公开号CN121290256A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种减少抛光烧结的抛光方法，包括粗抛、中抛和精抛，在所述中抛过程中，每个抛光垫的使用周期包括使用初期和使用后期，中抛液包括第一中抛液和第二中抛液，所述使用初期采用所述第一中抛液，所述使用后期采用所述第二中抛液，所述第一中抛液的研磨粒径小于所述第二中抛液的研磨粒径。本发明的有益效果是在每个中抛垫的使用初期更换中抛液的种类，采用研磨粒径较小的第一中抛液对表面纹理较为粗糙的抛光垫进行浸润，使得抛光液的分布更加均匀，减少抛光液在局部区域的聚集或不足，在使用后期采用研磨粒径较大的第二中抛液进行抛光，既能保证抛光效果，又有效降低了硅片表面的烧结，降低了返工成本，提高了生产效率。
天眼查资料显示，中环领先半导体科技股份有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，中环领先半导体科技股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目348次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息1167条，此外企业还拥有行政许可227个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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