北京
国家知识产权局信息显示，西安龙威半导体有限公司申请一项名为“基于湿法工艺顺序抑制VDMOS产品漏源漏电方法”的专利，公开号CN121310561A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于湿法工艺顺序抑制VDMOS产品漏源漏电方法，解决了传统固定顺序工艺存在的清洗不彻底、栅氧损伤大及二次污染风险高等问题。该方法首先采用稀氢氟酸溶液对晶圆进行初次弱腐蚀，去除自然氧化层并松动表层聚合物；随后使用硫酸‑过氧化氢混合溶液进行高温处理，彻底清除表层聚合物残留并暴露次表层污染物；接着再次采用稀氢氟酸溶液进行蚀刻处理，精准去除次表层聚合物，获得洁净硅表面；最后在低温条件下，依次使用氨水‑过氧化氢和盐酸‑过氧化氢混合溶液进行复合清洗与钝化，有效去除金属污染物并降低界面态密度。本发明通过顺序优化实现了对不同深度污染物的靶向清除与界面保护，显著降低了器件漏电流并提高了可靠性。
天眼查资料显示，西安龙威半导体有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本66068.167985万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙威半导体有限公司参与招投标项目22次，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可24个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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