北京
国家知识产权局信息显示，安建科技（深圳）有限公司申请一项名为“一种沟槽型碳化硅场效应管器件”的专利，公开号CN121310629A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，一种沟槽型碳化硅场效应管器件，本发明涉及基于碳化硅材料的功率器件，本发明通过在半导体上表面的设置一个以上的周期性排列的不同结构的沟槽对结构，所述的沟槽对结构包括有间隔区和一对对称设置于间隔区两侧的第一类沟槽，所述的第一类沟槽上部设有单边栅极；所述的沟槽对结构中的至少一个第一类沟槽内部填充有绝缘填充物，所述的绝缘填充物内具有从半导体上表面延伸到沟槽下部的深接触沟槽；其中第二导电型屏蔽区和填充在深接触沟槽中的上表面金属于沟槽内侧壁位置形成欧姆接触；第一导电型电流扩散区和上表面金属于至少部分所述的上表面平台形成肖特基接触。深接触沟槽的深度比单边栅极深，以致其和沟槽侧壁所形成的欧姆接触的位置深于单边栅极。在发生UIS时，雪崩电流集中到该位置的欧姆接触处，能有效提升器件的抗雪崩击穿能力，提升UIS性能。
天眼查资料显示，安建科技（深圳）有限公司，成立于2019年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，安建科技（深圳）有限公司财产线索方面有商标信息4条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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