北京
国家知识产权局信息显示，武汉国科光领半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体光放大器的制作方法及结构”的专利，公开号CN121307643A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体光放大器的制作方法及结构，其中方法包括：对衬底表面进行布局，将衬底表面沿长度方向依次划分为第一模斑转换器区、第一放大区、第二放大区和第二模斑转换器区；在衬底上生长缓冲层材料；在缓冲层材料上制作预设的掩膜对图形；在未被掩膜对图形覆盖的缓冲层材料上生长波导材料；去掉掩膜对图形，并在原始被掩膜对图形覆盖的缓冲层材料上生长有源材料；去掉第一模斑转换器区和第二模斑转换器区的有源材料；在剩余的有源材料上依次生长包层材料及接触层材料，完成半导体光放大器的制作。本发明提供的制作方法能够使制得的器件同时具有高增益及高饱和输出特性，且远场发散角小，具有与光纤耦合效率高的优点。
天眼查资料显示，武汉国科光领半导体科技有限公司，成立于2023年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1422.5184万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉国科光领半导体科技有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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