北京
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“通过原子层沉积来沉积硅薄膜的方法”的专利，公开号CN121311623A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，描述用于通过原子层沉积来沉积硅薄膜的方法的方法、系统及装置。例如，一种装置可将基底材料(例如多个材料堆叠)暴露于第一前体以在所述基底材料上形成硅化合物，所述第一前体包含硅脒基。所述装置可使第二前体与所述硅化合物反应且可基于将所述基底材料暴露于所述第一前体及使所述第二前体与所述硅化合物反应而在所述基底材料上形成硅层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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