北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体外延层的制造方法”的专利，公开号CN121310849A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体外延层的制造方法，包括：在半导体衬底中进行掺杂形成阱区，半导体衬底的顶部表面的第一缺陷包括由阱区的杂质导致的晶格失配缺陷。执行一次以上的循环步骤形成过渡层，循环步骤包括：进行第一界面修复工艺以修复前层表面暴露的缺陷。进行第一外延生长在前层表面形成非掺杂的第一外延子层。形成半导体外延层的主体层，包括：进行第二界面修复工艺以修复过渡层表面暴露的缺陷。进行第二外延生长在过渡层表面形成非掺杂的所述主体层。第一外延生长的速率小于第二外延生长的速率，主体层的厚度大于各第一外延子层的厚度。本发明能改善由受半导体衬底表面的掺杂杂质的影响而在半导体外延层表面形成的缺陷尤其是凹坑缺陷。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2093次，专利信息2661条，此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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