美国再也管不了，中微董事长恢复中国籍，带头攻关2纳米刻蚀机

中微半导体董事长尹志尧的国籍变更，直接源于美国2022年10月推出的半导体出口管制。那时候，美国商务部规定，持有美国公民或永久居民身份的人，不能未经许可参与中国先进芯片研发。

这项规则不只限设备和技术，还针对人员流动，目的是切断中国半导体企业的关键人才支持。中微作为国内刻蚀设备主力，早年就有美籍工程师因类似压力离职，转去新加坡或美国公司，影响了设备调试和客户服务环节。公司年报显示，2023到2025年间，至少两名高管调整岗位。

尹志尧本人在硅谷工作多年，1980年代加入应用材料公司，后在泛林集团领导刻蚀项目，积累60多项专利。2004年他回国创办中微，初期专注等离子体刻蚀机开发。公司从28纳米起步，逐步攻克5纳米介质刻蚀，产品卖给台积电这样的巨头。

2022年禁令后，中微的国际合作受阻，尹志尧的美国籍成了问题。公司2022年报还标明他为美国公民，2023年未提，2024年报确认已恢复中国籍。这变更让他摆脱许可限制，能继续指导技术方向。

恢复国籍的过程涉及税务清算。2026年1月9日，中微公告尹志尧拟减持29万股，金额近1亿元，用于办理相关税款。公司股价当时在300元左右，这笔钱直接解决美国税务遗留，避免法律纠纷。尹志尧持股比例降到1.5%，但仍是大股东。这一举动在业内被视为应对外部压力的实际步骤，确保领导层稳定。中微的合规审查通过后，团队能专注研发，不用担心海外调查。

中微的刻蚀机在全球占位已稳。他们的电容耦合和电感耦合技术，覆盖高深宽比沟槽，精度到原子级。2023年，5纳米设备进入台积电N3生产线，处理上百次刻蚀步骤。2025年，3纳米方案验证通过，设备吞吐量提升30%。尹志尧主导的双反应台设计，成为行业亮点。公司不只做刻蚀，还扩展薄膜沉积，2025年收入增长近1300%。这些进展，让中微从单一供应商转向平台型企业。

尹志尧带头攻关2纳米刻蚀机，从2025年起加速。公司瞄准逻辑和存储芯片，优化plasma源，减少粒子污染。团队用有限元软件模拟离子束，调整参数控制侧壁腐蚀。原型机在上海洁净室测试，缺陷率低于0.01%。中微与长江存储合作，样机集成NAND生产线，产量升10%。这一步针对2纳米节点的热效应，开发新冷却系统，温度波动小于1度。尹志尧每周审阅报告，推动专利申请。

攻关细节包括材料兼容。2纳米用高k介质和硅锗合金，刻蚀用氟基气体，每分钟速率数纳米。公司升级气体注入，引入脉冲电源。导体刻蚀针对铜互连，用氯基化学品。2025年底，中微投资新厂房，位于临港新区，采购本土零部件70%。尹志尧指导与长鑫存储联手，测试DRAM应用，刻蚀时间缩短15%。团队记录千次实验，优化真空密封，提升可靠性到99%。

2纳米项目扩展到薄膜集成，需要原子层沉积辅助。中微推出Primo系列升级，针对先进节点。尹志尧审定接口标准，确保设备无缝连接。公司2025年营收增长44%，部分来自刻蚀订单。尽管台积电2纳米2025年投产，中微设备瞄准后市场，价格有竞争力。团队总结经验，申请国际认证，推动1纳米预研。

美国禁令虽严，但中微通过本土链突破。2025年欧盟芯片法案打开门，中微联系欧洲晶圆厂，设备进入测试。尹志尧的变更，避免了供应链信任崩塌。三星和SK海力士等客户，继续采购中微产品，不担心美国盯梢。公司市场份额升到全球前五，专利近3000项。