北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121310530A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置的制造方法。方法包括以下步骤：在基板的主动区中形成第一沟槽，并在基板的隔离区中形成第二沟槽，其中第二沟槽的第二深度深于第一沟槽的第一深度。在第一沟槽与第二沟槽中形成底部导电层。在底部导电层上形成顶部导电层。在第一沟槽内与基板的顶表面上形成光阻层，其中光阻层暴露出第二沟槽内的顶部导电层。移除第二沟槽中的顶部导电层。形成顶盖层以填满第一沟槽与第二沟槽。以本发明的方法，可以改善栅极引发漏极漏电流的问题。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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