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由于预计高昂的价格将推动存储器产量激增,以满足人工智能服务器日益增长的需求,芯片制造设备制造商东京电子有望从创纪录的资本投资和研发支出中获益。
去年秋季内存价格飙升,基准DRAM现货价格较上年同期上涨了近十倍。东京电子社长河合俊树此前已预料到这一波价格上涨。
“我们可能正在进入一个长期的超级周期,”他指的是需求快速增长的时期。
随着人工智能的广泛应用,为了满足这些系统巨大的处理能力需求,全球数据中心如雨后春笋般涌现,这也催生了对芯片的巨大需求。河合预计,从今年开始,存储器制造商将采购芯片制造设备以满足这一需求。
对高带宽内存的投资正在迅速增长。英伟达等公司的人工智能半导体采用多颗HBM芯片,供应日益紧张。韩国SK海力士和三星电子正在斥资数十亿美元建设生产设施,预计将于2027年至2028年左右投产。
东京电子将希望寄托于用于在晶圆上形成电路的蚀刻设备。HBM采用多层堆叠的DRAM芯片,随着性能的提升,层数也会增加。这需要更多的步骤来连接这些芯片,东京电子预计这将提升对相关工艺系统的需求。
该公司在截至去年 3 月的财年中,DRAM 互连蚀刻系统的销售额达到数百亿日元,目标是到 2030 财年累计销售额达到 5000 亿日元(32 亿美元)。
在DRAM芯片小型化过程中,用于存储电荷的电容器变得更薄更长,这使得生产更具挑战性。“在蚀刻电容器所需的深垂直孔时,控制速度和形状的技术至关重要,”Kawai说道,“这是我们的专长。”
东京电子正斥巨资以期搭上经济超级周期的顺风车。尽管由于客户投资延迟,该公司预计2025财年净利润将下降10%至4880亿日元,但研发支出预计将增长16%至2900亿日元,资本投资预计将增长48%至2400亿日元,均创历史新高。该公司已在日本各地建成新的研发设施、生产和物流中心。
东京电子的研发投入往往比竞争对手更具盈利性。根据QUICK FactSet的数据,《日经新闻》汇总了过去五年的营业利润,并将其除以前五年的研发成本。东京电子的利润是其研发成本的5.5倍,超过了美国竞争对手Lam Research(4.5倍)和Applied Materials(4倍)。
随着市场预期繁荣即将到来,东京电子希望利用其磨练出的尖端技术采取进攻策略。
据摩根士丹利三菱日联证券称,过去十年,Lam 一直引领着全球蚀刻设备市场,市场份额为 40% 至 50%,其次是东京电子,市场份额为 20% 至 30%。
岩井证券高级分析师斋藤和义表示,如果这家日本公司能够缩小与林氏的差距,“即使只获得几个百分点的市场份额,也将对其收益做出巨大贡献”。
东京电子自称是芯片制造设备领域的“领先公司”,但该公司在7月份下调了盈利预期,导致每股收益预期下降,芯片测试设备制造商爱德万测试超越该公司,成为日本市值最高的半导体设备公司。
东京电子的股票在 2025 年上涨了 42%,低于 Lam 的翻倍多和应用材料公司的 58%。
根据 QUICK FactSet 的数据,该公司未来 12 个月的预期市盈率为 29 倍,也低于 Lam 的 38 倍。斋藤表示,如果东京电子能够从 Lam 手中夺取市场份额,它将拥有更大的定价自由度,“更高的盈利预期将推高其市盈率,使股价创下新高指日可待”。
https://asia.nikkei.com/business/tech/semiconductors/tokyo-electron-gears-up-for-ai-driven-supercycle-in-memory-demand
(来源:编译自日经)
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