北京
国家知识产权局信息显示，深圳市道尔顿电子材料股份有限公司申请一项名为“一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法”的专利，公开号CN121270912A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法，该制备方法包括：将二胺单体溶解在极性非质子溶剂中，待溶解后加入四羧酸二酐单体进行第一步反应；加入含酯基和羟基的饱和化合物进行第二步反应，反应结束后用极性非质子溶剂稀释，得到聚酰胺酸溶液；将所得聚酰胺酸溶液流延涂布后进行热亚胺化，得到聚酰亚胺薄膜。本发明通过引入含酯基和羟基的饱和化合物单体结构，使得聚酰亚胺薄膜具有低介电常数和优异的疏水特性，而且在显著提升聚酰亚胺材料的高温高湿稳定性的同时，依然保持了极佳的耐热性以及机械性能。
天眼查资料显示，深圳市道尔顿电子材料股份有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市道尔顿电子材料股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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