北京
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国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体器件结构及其制造方法”的专利，公开号CN121284961A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件结构，半导体器件结构包括：设置有相互间隔的源极区和漏极区的衬底；设置于所述衬底上表面的栅极结构；设置于所述衬底中的凹槽；至少部分所述栅极结构位于所述凹槽内。
天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目406次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可61个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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