北京
国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121284983A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底；外延层；位于外延层的内部且与外延层掺杂类型相反的第一注入区，第一注入区包括相连的第一部分和第二部分，第二部分沿外延层的厚度方向由第一部分延伸至外延层远离衬底的表面，第一部分在衬底上的正投影覆盖第二部分在衬底上的正投影，且第二部分第一部分在衬底上的正投影的面积大于第二部分在衬底上的正投影的面积；欧姆金属层，包括多个欧姆接触部，欧姆接触部远离衬底一侧的表面与肖特基金属层接触，欧姆接触部除远离衬底一侧的表面外的其他表面均被第一注入区包裹；肖特基金属层，至少部分的肖特基金属层位于外延层远离衬底的一侧。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目30次，专利信息209条，此外企业还拥有行政许可107个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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