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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“包含闪存存储器和CMOS逻辑电路系统的集成电路”的专利，公开号CN121286112A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请公开一种包含闪存存储器和CMOS逻辑电路系统的集成电路(IC)(400)及其制造方法。所述IC(400)包括：衬底(402)，其包含第一区(403A)的凹陷区域(407)；闪存存储器单元栅极堆叠(485‑1)，其形成于所述凹陷区域(407)中；字线(WL)晶体管，其形成于所述凹陷区域(407)中且与所述闪存存储器单元栅极堆叠(485‑1)耦合，所述WL晶体管包含形成于不包含氮化的第一栅极氧化物层(437)上方的WL栅极(444‑1)；以及晶体管(471A/B)，其形成于所述衬底(402)的与所述凹陷区域(407)分离的第二区域(403B)中，所述晶体管(471A/B)形成所述IC(400)的逻辑电路系统的至少一部分且包含具有氮化的第二栅极氧化物层(450)。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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