【电子行业周报】国产DRAM存储龙头IPO成功受理

来源：市场资讯

（来源：爱建证券研究所）

国产DRAM存储龙头IPO成功受理

-爱建电子行业周报-

本报告发布于2026年1月6日

投资要点：

本周（2025/12/29-2026/1/4）SW电子行业指数（-0.16%），涨跌幅排名13/31位，沪深300指数（-0.59%）。SW一级行业指数涨跌幅前五分别为：石油石化（+3.92%），国防军工（+3.05%），传媒（+2.13%），汽车（+1.44%），机械设备（+1.32%），涨跌幅后五分别为:公用事业（-2.72%），食品饮料（-2.26%），电力设备（-2.18%），医药生物（-2.06%），非银金融（-1.84%）。本周SW电子三级行业指数涨跌幅前三分别是：面板（+2.09%），LED（+1.35%），消费电子零部件及组装（+1.04%），涨跌幅后三分别是：其他电子Ⅲ（-2.91%），电子化学品Ⅲ（-2.72%），半导体材料（-1.76%）。

事件：据上交所12月30日披露信息，长鑫存储科创板IPO审核状态已更新为“已受理”，此次IPO拟融资金额达295亿元。该公司成立于2016年6月13日，总部坐落于安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园，是一家专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）设计、研发、生产及销售的国家高新技术企业。

DRAM作为易失性存储器的核心品类，可直接与CPU、GPU等计算芯片高效交互，专门承载计算过程中产生的海量临时数据，是支撑高性能计算的关键硬件基础。其芯片结构主要由存储单元、外围逻辑电路及周边线路构成，容量拓展核心依赖存储单元数量增加与单位面积存储密度提升。相较于NAND Flash、NOR Flash，DRAM以随机字节读写能力、更优的性能表现、适中的大容量优势及较低成本为核心特征，广泛应用于主内存（内存条）、显卡显存等核心场景，是电子设备运算效率提升的重要支撑。

TrendForce数据显示，2024年全球DRAM市场规模达958.6亿美元（同比+84.2%)。2025Q1-3全球DRAM市场规模合计达1000.5亿美元（同比+48.7%)；市场格局方面，韩美厂商主导地位稳固，2025Q3 SK海力士、三星、美光分别以33.2%、32.6%、25.7%的份额占据前三，合计占比超90%，行业集中度维持高位；技术发展上，国际头部厂商加速推进先进制程与AI专用产品，三星量产第六代10nm级1c DRAM且HBM4计划2026年量产，美光推出1γ节点LPDDR5X内存赋能端侧AI，国产厂商同步实现突破，长鑫存储发布通过JEDEC认证的DDR5（最高8000Mbps）与LPDDR5X（最高10667Mbps）内存，华邦电子推出16nm制程8Gb DDR4 DRAM适配工业与嵌入式场景。

长鑫存储自2016年启动合肥DRAM基地一期工程以来，逐步完善产能布局与技术研发体系，2017-2018年完成合肥基地厂房建设与设备搬入并于2018年试产8 Gb DDR4样品实现技术落地突破，2020-2022年陆续启动北京DRAM一、二期项目，完成北京+合肥双基地框架搭建，为规模化产能释放奠定坚实基础；产品端持续迭代升级，2023年推出LPDDR5产品、2024年实现DDR5量产，2025年进一步展示DDR5与LPDDR5X新品。

2024年长鑫存储实现营业收入241.78亿元（同比+166.07%），2022-2024年复合增长率达70.81%，同时公司预计2025年营业收入将达到550-580亿元。长鑫存储IPO募投资金预计将达295亿元，其中75亿元拟用于“存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目”，旨在对现有量产线进行技术升级；130亿元拟用于“DRAM存储器技术升级项目”，该项目总投资达180亿元，将重点推动工艺技术平台向更高代际跃迁；此外，90亿元将用于“前瞻技术研究与开发项目”，聚焦于下一代存储技术的预研。

投资建议：随着长鑫存储IPO成功受理，我们预计国产DRAM存储产业链将会迎来加速发展，建议关注上游国产半导体设备及材料的投资机会。

风险提示：1）国际贸易摩擦加剧2）下游需求不及预期3）技术升级进度滞后

1. 长鑫存储IPO成功受理

事件：据上交所12月30日披露信息，长鑫存储科创板IPO审核状态已更新为“已受理”，此次IPO拟融资金额达295亿元。该公司成立于2016年6月13日，总部坐落于安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园，是一家专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）设计、研发、生产及销售的国家高新技术企业。

1.1 内存：DRAM

DRAM是一种易失性存储器，可与CPU、GPU等计算芯片直接交互，用于快速存储每秒数十亿次计算过程中产生的临时信息。

DRAM芯片主要由存储单元、外围逻辑电路、周边线路三部分组成。

1）存储单元（Cell）是DRAM存储数据的最小单元，每个单元仅存储1bit二进制数据；单颗芯片的容量拓展，主要通过增加存储单元数量、提升单位面积存储密度实现。存储单元阵列占据芯片55%-60%的面积。

2）外围逻辑电路（Core）负责控制数据的读取、写入及刷新等操作，保障数据准确性与存储单元的正常运行，这部分占据芯片25%-30%的面积。

3）周边线路（Peripheral）由控制线路与输入/输出线路组成：控制线路根据外部指令与地址协调芯片内部工作，输入/输出线路负责数据的写入与读取。

相较于NAND Flash和NOR Flash，DRAM具备易失性存储、支持随机字节读写、性能快、容量大、成本低的特征，主要应用于主内存、显卡显存等场景。

1.2 全球DRAM呈寡头垄断格局

TrendForce数据显示，2024年全球DRAM市场规模达958.6亿美元（同比+84.2%)。2025Q1-3全球DRAM市场规模合计达1000.5亿美元（同比+48.7%)。

全球DRAM市场呈现寡头垄断格局。TrendForce数据显示，2025Q3全球DRAM市场份额依次为SK Hynix（33.2%）、Samsung（32.6%）、Micron（25.7%）、Others（8.5%）。

全球存储厂商深耕DRAM领域，加速推进技术迭代。Samsung量产第六代10nm级1c DRAM，HBM4样品已交付并计划2026年量产；Micron推出全球首款1γ节点LPDDR5X内存样品，赋能旗舰机AI应用；国内方面，长鑫存储发布通过JEDEC认证的DDR5内存（最高8000Mbps）及LPDDR5X移动端内存（最高10667Mbps），助力消费电子与服务器市场的技术升级与成本优化；华邦电子推出16nm制程8Gb DDR4 DRAM，适配工业与嵌入式领域的严苛使用需求。

1.3 长鑫存储：国产DRAM核心企业

长鑫存储2016年启动合肥DRAM基地一期工程，2017-2018年完成厂房建设与设备搬入，奠定硬件基础。2018年公司试产8Gb DDR4样品，实现技术从研发到落地的突破。

2020年长鑫存储启动北京DRAM一期项目，2021年进一步启动二期项目，同步推进先进制程研发与跨区域产能布局；2022年北京一期试产线通线、合肥二期主厂房封顶，至此完成“北京+合肥”双基地框架，为后续产能规模提升奠定基础。

2023年11月长鑫存储正式推出LPDDR5产品，进一步完善高端存储产品矩阵；2024年，其DDR5产品实现量产，产能正式步入规模化阶段。2025年，长鑫存储的产品进展持续落地，公司于10-11月展示了DDR5与LPDDR5X产品。

2024年，公司实现营业收入241.78亿元（同比+166.07%），2022-2024年复合增长率达70.81%，同时公司预计2025年营业收入将达到550-580亿元。2024年公司综合毛利率为5.58%，同比提升7.51 pct。

长鑫存储的产品覆盖DDR、LPDDR两大系列，具体包括DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等多个市场领域。从2024年公司营业收入的产品结构来看，LPDDR系列占比最高，达82.74%；DDR系列占比13.26%；其他业务占比4.00%。

DDR5与LPDDR5X是长鑫存储的最新主力产品，凭借核心技术创新实现性能、功耗与稳定性的多维突破。其中，DDR5颗粒最高速率突破8000Mbps，容量覆盖16Gb/24Gb；相较于DDR4，其功耗降低20%，同时融入片内错误检查与自纠错（ECC）机制，并搭配强化抗干扰设计，有效保障设备工作稳定性与数据传输完整性。LPDDR5X则通过创新封装技术与内存架构优化，单颗粒容量覆盖12Gb/16Gb，最高速率达10667Mbps，较上一代LPDDR5提升66%，性能已跻身国际主流水平。

2.全球产业动态

2.1

壁仞科技于港交所上市

2026年1月2日，壁仞科技正式登陆港交所，不仅成为港股“国产GPU第一股”，亦是2026年港股市场首只上市新股。

作为国内领先的通用智能计算解决方案提供商，自创立之初，公司便确立全栈自研的技术方向，专注于高性能通用GPU的研发与商业化，目前已跻身国产GPU第一梯队，与摩尔线程、沐曦股份、燧原科技并称“国产GPU四小龙”。

此次全球发售中，壁仞科技拟发行约2.85亿股H股，所得款项净额达53.75亿港元。募资将主要用于智能计算解决方案的研发与商业化推进，以及营运资金补充及一般公司用途。

2.2

富士通宣布将加入由软银主导的下一代人工智能存储器开发计划

12月26日，富士通（Fujitsu）宣布加入软银（SoftBank）主导的下一代人工智能存储器开发计划。该计划聚焦大型语言模型（LLMs）及复杂计算场景，旨在研发高性能存储器解决方案，以满足日益增长的数据处理与存储需求。

该计划的技术重点包括：

存储器压缩技术，如动态存储器硅梳化（DMS），能够选择性地丢弃非必要的标记，进而提高推理深度和多查询处理能力，并在国际数学奥林匹克等基准测试中提升性能。

与光子芯片（如LightGen）的整合，该芯片使用超过两百万个基于光的「神经元」，在生成式人工智能任务中比英伟达（NVIDIA）的硅芯片快100倍且更具能效。

后量子安全增强，通过F5-NetApp解决方案将人工智能数据传递与NIST认可的算法相结合，以应对解密威胁。

2.3

Meta宣布收购开发Manus

12月30日，据《晚点 LatePost》报道，Meta将以数十亿美元收购开发AI智能体产品Manus的蝴蝶效应公司。这是Meta成立以来第三大收购案，交易额仅次于 190亿美元收购WhatsApp和143亿美元收购Scale AI。

Manus官方同步发布消息称，将正式加入Meta开启新一轮探索。

此外，Manus将继续通过App及官网为用户提供产品与订阅服务，且公司总部仍在新加坡运营。据12月初披露的数据，自2025年3月上线以来，Manus已累计处理超147万亿个token，同时创建了超8000万台虚拟计算机。

2.4

上海光机所联合富加镓业实现8英寸氧化镓晶体制备突破

据“上海科技”报道，12月27日，在上海市科委第四代半导体战略前沿专项支持下，中国科学院上海光机所（以下简称“上海光机所”）联合杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”），在国际上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制备出8英寸氧化镓晶体。

氧化镓凭借4.9eV超宽禁带宽度和8MV/cm超高击穿场强的特性，在新能源汽车充电、电网换流、数据中心电源等超高压场景中具有不可替代的优势。相较于传统硅材料及第三代半导体碳化硅、氮化镓，氧化镓器件可实现更高能效、更小体积和更低能耗，被视为下一代功率电子产业的核心突破口。

富加镓业成立于2019年，是我国超宽禁带半导体氧化镓领域的领先企业，公司核心业务聚焦宽禁带半导体氧化镓材料的产业化，已构建起“装备-衬底-外延-器件验证”全链条产业化体系，是国内少数实现氧化镓材料与装备双线自主可控的企业。

3. 本周市场回顾

3.1SW一级行业涨跌幅一览

本周SW电子行业指数（-0.16%），涨跌幅排名13/31位，沪深300指数（-0.59%）。SW一级行业指数涨跌幅前五分别为：石油石化（+3.92%），国防军工（+3.05%），传媒（+2.13%），汽车（+1.44%），机械设备（+1.32%），涨跌幅后五分别为:公用事业（-2.72%），食品饮料（-2.26%），电力设备（-2.18%），医药生物（-2.06%），非银金融（-1.84%）。

3.2 SW电子三级行业市场表现

本周SW电子三级行业指数涨跌幅前三分别是：面板（+2.09%），LED（+1.35%），消费电子零部件及组装（+1.04%），涨跌幅后三分别是：其他电子Ⅲ（-2.91%），电子化学品Ⅲ（-2.72%），半导体材料（-1.76%）。

本周SW电子行业涨跌幅排名前十的股票分别是：科森科技（+21.82%），信维通信（+20.86%），协创数据（+15.53%），东微半导（+15.04%），长盈精密（+14.93%），乾照光电（+13.42%），致尚科技（+13.07%），宏微科技（+11.18%），蓝黛科技（+10.50%），奥尼电子（+10.16%）。

涨跌幅排名后十的股票分别是：派瑞股份（-15.36%），臻镭科技（-11.54%），长光华芯（-11.19%），ST宇顺（-10.80%），香农芯创（-9.41%），恒烁股份（-9.03%），京泉华（-8.84%），南极光（-8.28%），江波龙（-8.26%），伊戈尔（-7.58%）。

3.4 科技行业其他市场表现

半导体指数（SOX）本周涨跌幅为+2.22%。

截至2025/12/31，恒生科技指数本周涨跌幅为+0.30%。

中国台湾电子指数各板块本周涨跌幅分别是：半导体（+5.10%），电子（+3.93%），电脑及周边设备（+2.63%），光电（+6.76%），通信网路（-1.65%），电子零组件（+0.60%），电子通路（+1.48%），资讯服务（-0.28%），其他电子（+1.90%）。

4.风险提示

本文节选自：2026年1月6日发布的《电子行业周报：国产DRAM存储龙头IPO成功受理》

分析师：许亮

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