开年第一天，台积电、三星大涨创新高，带动AI股逆市走高

2026年首个交易日，AI芯片供应链股票强势上涨，在美股大盘走势分化的背景下成为市场焦点。台积电美股和台股双双创下历史新高，三星电子韩股大涨7.2%刷新收盘纪录，带动整个AI板块逆市走强。

周五（1月2日），韩国首尔综合指数收涨2.3%，历史上首次突破4300点大关，主要受三星电子HBM4业务获客户认可的消息提振。台积电则受益于2nm制程量产兑现及AI芯片需求激增的双重利好。与此同时，纳斯达克指数当日小幅收跌，标普500指数微涨，凸显AI相关股票的独立行情。

除了台积电、三星电子之外，周五多只AI相关股票录得涨幅。Sandisk、Micron、Western Digital、Intel和Constellation Energy位列涨幅榜前列。英伟达、Broadcom等万亿美元市值科技公司也出现上涨。

市场对AI基础设施投资的持续乐观情绪推动了这波涨势。据路透报道，英伟达正向台积电追加H200芯片订单。摩根士丹利指出，2026年存储器供应正在收紧而非放松，并将DRAM和NAND价格预期分别上调62%和75%。

分析师普遍认为AI热潮将延续至2026年。Bernstein将台积电列为首选股，预计其2026年和2027年营收将分别增长23%和20%。德意志银行全球宏观研究主管Jim Reid表示，持续的全球增长、AI潜力的乐观情绪以及央行降息，将继续推动金融资产表现。

台积电2nm量产兑现，订单需求旺盛

日前，台积电在官网低调宣布，其2nm制程（N2）技术已按计划于2025年第四季度投入量产，标志着全球半导体行业正式迈入2nm时代。这一技术采用第一代纳米片晶体管架构，相比N3E工艺，在同等功耗下性能提升10%-15%，在同等速度下功耗降低25%-30%。

N2工艺采用了环栅（Gate-All-Around）纳米片晶体管技术，突破了此前FinFET架构在3nm节点面临的物理极限。该技术将电流通道由竖立的"鳍"变为水平堆叠的"纳米片"，栅极可从四面完全包裹通道，大幅降低漏电并提升晶体管密度。相对于纯逻辑电路设计，N2P工艺的晶体管密度比N3E提升约20%。

台积电CEO魏哲家在十月财报会议上表示，N2进展顺利且良率良好，预计2026年在智能手机和高性能计算、AI应用推动下实现更快产能爬坡。公司计划在高雄晶圆二十二厂和新竹晶圆二十厂同步扩产，罕见地采取"双线作战"策略，同时服务手机芯片和AI服务器芯片两条产品线。

台积电还在推进更先进制程的布局。公司计划于2026年下半年量产N2P和A16工艺，其中A16采用背面供电技术，主要针对AI和高性能计算处理器。1.4nm制程工厂的地基工程已于2025年11月动工，风险性试产预计2027年启动，量产目标定于2028年。

同时，据路透报道，英伟达正向台积电追加H200芯片订单。消息人士称，英伟达已要求台积电开始生产这批额外芯片，预计工作将于2026年第二季度启动。

三星HBM4获客户认可，重回竞争轨道

三星电子周五股价大涨7.2%，创下收盘历史新高，主要受公司HBM4业务获得客户积极评价的消息提振。

据华尔街见闻此前文章指出，三星电子联席CEO全永铉在新年致辞中透露，公司的HBM4产品已展示出"差异化的竞争力"，并赢得客户"三星回来了"的高度评价。

这一表态极大提振了投资者信心，市场预期三星正逐步缩小此前在高带宽内存市场与SK海力士的差距，并有望在2026年凭借下一代HBM产品重新进入英伟达的核心供应链。

此次股价大涨也得益于亚洲科技股的整体共振及行业基本面的强力支撑。周五，受壁仞科技上市表现及DeepSeek相关进展引发的AI投资热潮影响，恒生科技指数一度飙升4.3%。

宏观数据方面，韩国12月半导体出口同比激增43%，印证了三星、SK海力士在全球AI硬件繁荣中的重要性。

分析师看好AI芯片供应链前景

Bernstein将台积电列为首选股，认为其在质量、风险和估值方面具有优势。该行指出，在没有有意义的挑战者的情况下，台积电是AI芯片的实际生产商，因此是AI增长的主要受益者之一。

Bernstein预计AI和台积电在先进技术方面的领导地位将推动公司2026年营收增长23%，2027年增长20%。

该行还表示，更温和的汇率环境和更好的成本控制将减轻海外生产的成本负担，预计台积电每股收益在同期将以20%的复合年增长率增长，略慢于营收增速。

此外，摩根士丹利强调，2026年存储器市场正在收紧而非放松。该行认为制造约束与更强需求相碰撞，并将2026年DRAM平均价格预期上调62%，NAND上调75%。

受H200芯片需求激增影响，该行不再预期HBM3E平均价格下降，并大幅上调美光盈利预期，将2026年和2027年每股收益预期分别上调56%和63%。