北京
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有含有无源和/或有源器件的无机层的有机中介层”的专利，公开号CN121237737A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本文涉及具有含有无源和/或有源器件的无机层的有机中介层。本文公开的实施例包括具有第一层的装置，其中，第一层是第一无机材料。该装置还可以包括在第一层之上的第二层，其中，第二层是第二无机材料。在实施例中，第二层包括有源电器件或无源电器件。在实施例中，该装置还包括在第二层之上的第三层，其中，第三层是有机堆积膜。在实施例中，无源电器件或有源电器件电耦合到嵌入第三层中的一条或多条导电迹线。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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