美韩芯片联合抬价，意外让中国存储芯片大赚80亿，国产芯片崛起了

中国内存芯片企业表示预计今年盈利20亿元以上，而此前三季度亏损近60亿，这意味着仅是四季度就将取得80亿元以上的盈利，而这一切是因为美韩芯片联合抬价所致，这恐怕是美韩芯片所没有想到的。

美日韩垄断了全球存储芯片，而日本芯片铠侠主要是在NAND flash存储芯片方面还仅位居第二名，而美韩芯片则在DRAM垄断市场，在NAND flash芯片方面也占据优势，因此在存储芯片方面占据优势的其实是美韩芯片。

占据优势的美韩芯片多年来其实一直都有搞存储芯片的价格，在他们的联手抬价的时候，他们大赚特赚，这其实是有证据的，当年美韩芯片就因为联手抬价而被美国重罚，可见美韩在存储芯片行业联手抬价赚钱是有前例的。

如今美韩存储芯片无疑是再次联手抬价赚钱的时候，当然他们也抓住了这个机会，这主要是因为美国AI芯片垄断NVIDIA的兴起大举抢占了内存芯片市场--NVIDIA需要大量HBM芯片，而HBM芯片这几年利润高企，由此诸多内存芯片都将产能转向HBM芯片，导致DRAM内存产能大跌。

随着DRAM内存芯片产能下降，DRAM内存条涨价近两倍，由此美韩存储芯片大赚特赚，据悉三星、美光、SK海力士等今年的利润都将倍增，而中国这家内存芯片企业也由此跟着大赚，预估今年全年实现盈利，这将是它自2016年成立以来的首次盈利。

中国存储芯片与美韩芯片其实存在着不小的纠葛，2016年中国三家存储芯片企业成立，其中一家存储芯片企业被美国的芯片企业起诉，另外两家存储芯片企业则顺利发展起来，到如今他们在全球存储芯片市场占有了一席之地。

为了走出自己的路，以及另一家存储芯片企业的教训，中国的NAND flash存储芯片企业可谓煞费苦心，从最低端的32层NAND flash芯片做起，积累自己的技术和专利，直到做出了128层NAND flash存储芯片才大规模量产，后来更曾率先量产232层NAND flash存储芯片。自然另一家DRAM内存芯片同样重视自研技术和专利。

眼见着中国存储芯片取得技术领先优势，美国联合日本和荷兰阻止对中国存储芯片供应先进的芯片设备和材料，导致中国的存储芯片技术研发一度停滞，中国存储芯片因此耗费了近两年时间建设自主研发的生产线，完全采用国产化设备。

中国存储芯片因此遭受波折也导致迟迟无法盈利，据悉前后仅是内存芯片中国可能投资的资金就高达460亿元，付出了不小的代价，然而如今中国的存储芯片行业终于取得了回报，不仅让中国摆脱了对外国存储芯片的依赖，还摆脱了亏损。

美日韩存储芯片垄断存储芯片行业已有数十年时间，他们也曾试图继续垄断这个行业，甚至还拉拢日本和欧洲的设备来试图阻止中国存储芯片的发展，恐怕他们也没想到他们的图谋终于破灭了，中国的存储芯片终于走出了低谷，开始迎来新生，步入新的发展阶段。