北京
国家知识产权局信息显示，无锡中微掩模电子有限公司申请一项名为“一种相移掩模版的相位角、穿透率调控方法”的专利，公开号CN121232517A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种相掩模的制备方法，尤其是一种相移掩模版的相位角、穿透率调控方法，包括以下步骤：获取经一次生产后的相移掩模；检测所述相移掩模的相位角和穿透率，若相位角和穿透率超出设定要求则进行调节步骤，所述调节步骤包括：重复清洗、涂胶、激光束曝光、显影、铬蚀刻、去胶；其中，所述调节步骤中的所述铬蚀刻时，调整铬蚀刻参数以整体减少相移层厚度，从而调节所述相位角和穿透率。本发明提供的一种相移掩模版的相位角、穿透率调控方法通过重复清洗、涂胶、激光束曝光、显影、铬蚀刻、去胶的步骤，通过调节铬蚀刻步骤的蚀刻参数起到有效调节相位角、穿透率的能力，可以有效减少由于相位角、穿透率超客户规范导致的报废。
天眼查资料显示，无锡中微掩模电子有限公司，成立于2007年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本49230万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡中微掩模电子有限公司参与招投标项目138次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息146条，此外企业还拥有行政许可25个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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