富士通牵手软银，日本半导体抱团研发HBM替代品

本周，富士通正式官宣加入软银牵头的下一代AI内存开发项目，将与软银、英特尔及东京大学组成联盟，打造“SAIMEMORY新型内存”

《日经亚洲》报道称，此次合作聚焦大型语言模型等复杂AI计算需求，旨在突破现有存储技术瓶颈，该联盟将以三维堆叠DRAM技术打造高带宽内存（HBM）的直接替代品，研发兼具高性能与经济性的存储器解决方案，为AI基础设施建设提供全新选择。

作为项目核心参与者之一，富士通将自身深耕多年的量子启发技术注入研发体系，包括张量网络模拟器等关键技术，可有效优化深度电路分析效率，为新型内存的性能提升提供支撑。

该项目的技术路线涵盖多重创新方向，既包括动态存储器硅梳化等压缩技术，也涉及与光子芯片的深度整合及后量子安全增强方案，其中光子芯片在生成式AI任务中的效能已被证实远超英伟达传统硅芯片，成为差异化竞争的核心亮点。

在技术协作层面，项目将整合英特尔的垂直堆叠技术与东京大学在热管理、数据传输领域的学术成果，原型设计与制造环节则携手新光电气（富士通曾为其大股东）、力积电推进，形成“产学研用”一体化的研发闭环。

可以说，这不仅是富士通重返存储器领域的关键布局，也是日本近期发力半导体产业竞争力的重要项目之一。

在这之前，软银已经投入了不少精力。

从项目规划来看，软银新成立的Saimemory公司将承担总指挥职能，专注于芯片设计、知识产权管理等核心环节，生产制造则采用外包模式以控制成本，这种轻资产运营策略既避开了巨额制造投资，又能聚焦技术创新。

资金方面，项目计划到2027财年完成80亿日元（约合3.59亿元人民币）总投资，其中软银出资30亿日元，富士通与日本理化学研究所（理研）合计出资10亿日元，后续还将申请日本政府资金支持，整体投资规模预计最终达100亿日元（约合5亿元人民币）。

按照时间表，该将在两年内完成原型样品开发，评估量产可行性后，力争在21世纪20年代实现商业化落地，软银也计划将该新型内存优先应用于自身AI训练数据中心，以更低成本构建高效能数据处理体系。

关注半导体行业的读者应该熟悉近期内存市场的涨价潮。当前HBM作为AI设备的核心组件，虽具备高带宽、低延迟优势，但存在功耗高、成本高的短板，且供应持续紧张——行业龙头SK海力士未来两年的HBM产能已全部售罄，而美国咨询公司BCG预测，2023至2027年间AI相关服务器出货量将增长六倍，DRAM出货量年均增速达21%，HBM使用量的攀升进一步加剧了市场缺口。

Saimemory项目自然瞄准这一痛点，目标以与HBM相当或更低的价格，实现2-3倍的容量提升和50%的功耗降低，凭借差异化优势打破现有市场格局。

比起韩国两大存储大厂以及后来崛起的中国存储企业，日本在存储业务这块可谓毫无竞争力。

早些年富士通曾涉足DRAM业务，后为规避市场竞争转向专用芯片领域，而尔必达等日本同行在三星等韩企的价格战冲击下逐步衰落，2013年尔必达被美光收购，日本半导体产业也从80年代占据全球半壁江山的辉煌，滑落至2023年无一家企业跻身全球前十的困境。

虽然不卖产品，不过日本也并没有完全退出存储赛道，而是掌控了半导体设备、材料等供应链，从信越化学的硅晶圆到JSR的光刻胶，日本企业始终占据产业链核心环节。也正因于此，Saimemory内存也是具备一定的竞争力。

尽管前景可期，项目仍面临多重考验：三维堆叠DRAM技术的量产稳定性、成本控制能力、市场接受度等均需时间验证，而韩国企业在HBM市场占据90%份额，技术路径的颠覆式创新能否打破现有垄断尚未可知。

从产业格局来看，这场由软银牵头、跨越多机构的合作，不仅是对HBM技术的挑战，更是日本半导体产业试图借AI浪潮重返全球核心竞争圈的重要探索，其商业化进展将持续影响全球AI存储市场的格局演变。

本文作者：jh

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