湖北
30号最新消息，中国芯片实现新突破：精度飙升五级，可绕开光刻机卡脖子环节。
2025年10月，北京大学孙仲、蔡一茂、王宗巍团队成功研制出基于阻变存储器的高精度、可扩展模拟矩阵计算芯片。这项突破的关键在于，该芯片可在28纳米及以上成熟工艺量产，绕开了光刻机“卡脖子”环节。
团队通过器件、电路和算法的系统级协同设计，将模拟计算的相对误差从1%降低至千万分之一（10⁻⁷）量级，相当于将精度提升了五个数量级。
这项突破最引人关注的焦点之一是绕开了光刻机的技术封锁。
当前最先进的数字芯片制造，严重依赖需要极紫外光刻机来刻制纳米级电路。而北大团队研发的新型模拟计算芯片，只需要28纳米及以上成熟工艺即可实现量产。
这一特征让中国半导体产业在规避技术限制方面看到了新路径。
据团队介绍，该芯片基于阻变存储器（ReRAM）技术，采用自主知识产权的钽基阻变存储器作为核心器件。
与基于晶体管的传统数字芯片不同，这种新型芯片通过物理定律直接运算，无需将数据转化为二进制数字流。
这项技术的应用前景十分广阔，可赋能多元计算场景。
在未来的6G通信领域，这款芯片能让基站以实时且低能耗的方式处理海量天线信号，提升网络容量和能效。
对于人工智能技术，这项研究有望加速大模型训练中计算密集的二阶优化算法，显著提升训练效率。
低功耗特性也将支持复杂信号处理和AI训推一体在终端设备上的直接运行，降低对云端的依赖，推动边缘计算迈向新阶段。
孙仲教授明确表示，团队正积极推进该技术的产业化进程，尽快将实验室成果推向市场。
作为成果转化的重要载体，燕芯微公司正在构建“材料-器件-工艺-电路-算法”全链条自主可控技术体系，全力推进国产新型先进ReRAM芯片及智能应用产品的研发与产业落地。
这项突破标志着高精度模拟计算实现从0到1的飞跃。在实验室中，团队成员围聚在测试设备旁，屏幕上跳动的精度数字定格在千万分之一量级。
虽然目前芯片尚处于实验室阶段，更适用于中等规模场景，但团队计划在两年内提升芯片阵列规模，以在更多场景产生实际效用。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
