北京
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国家知识产权局信息显示，应用材料股份有限公司申请一项名为“引入铝至离子源的方法以及系统”的专利，公开号CN121219806A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，公开一种可用于将掺杂剂材料引入至电弧室中的离子源。在亦进入电弧室的蚀刻气体的路径中设置有含有掺杂剂材料的组件。在一些实施例中，掺杂剂材料呈液体形式，且蚀刻气体行进经过所述液体。在其他实施例中，掺杂剂材料是固体材料。在一些实施例中，固体材料被形成为多孔式结构，使得蚀刻气体流动经过所述固体材料。在其他实施例中，使用包括掺杂剂材料的材料来制造离子源的一或多个组件，使得蚀刻气体对所述组件进行蚀刻以释放出所述掺杂剂材料。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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