北京
国家知识产权局信息显示，上海光通信有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、半导体芯片和电子设备”的专利，公开号CN121218640A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本申请公开一种半导体器件及其制备方法、半导体芯片和电子设备，所述半导体器件包括：衬底；栅极结构，所述栅极结构形成在所述衬底的上方；形成在所述栅极结构的侧壁的侧墙结构，所述侧墙结构包括多层侧墙；形成在所述衬底上的轻掺杂漏结构，所述轻掺杂漏结构位于所述侧墙结构的两侧，所述轻掺杂漏结构在所述衬底的正投影与所述侧墙结构在所述衬底的正投影至少部分交叠；形成在所述衬底上的源漏沟槽以及形成在所述源漏沟槽内的源漏结构，所述轻掺杂漏结构位于所述源漏结构靠近所述栅极结构一侧。本申请提供的半导体器件的栅极结构与轻掺杂漏交叠区域减小，可以改善栅致漏极漏电流，保证了载流子迁移率的稳定以及器件的电学性能表现。
天眼查资料显示，上海光通信有限公司，成立于1988年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2038786.497万人民币。通过天眼查大数据分析，上海光通信有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目55次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可182个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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