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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储单元和具有该存储单元的半导体存储器件”的专利，公开号CN121218594A，申请日期为2022年2月。
专利摘要显示，本发明提供了一种高度集成的存储单元和包括该存储单元的半导体存储器件。根据本发明，一种半导体存储器件包括：存储单元阵列，其中多个存储单元垂直堆叠至衬底，其中每个存储单元包括：位线，其垂直于衬底定向；电容器，其与位线横向间隔开；有源层，其横向定向于位线与电容器之间；以及字线和背栅，所述字线和背栅彼此面对，所述有源层介于所述字线与所述背栅之间，以及其中，字线的边缘和背栅的边缘沿着存储单元的堆叠方向具有阶梯形状。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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