晶正电子产能饱和拟建新基地，布局纳米铌酸锂薄膜

济南晶正电子科技有限公司位于济南综合保税区的40亩厂区，其产能已无法满足当前市场需求。公司创始人、总裁胡文近日表示，最初规划可使用二三十年的厂区现已饱和，公司正计划建设新的生产基地，重点布局大尺寸纳米厚度铌酸锂薄膜复合材料。

作为济南市首批“5150”引进的高层次创新创业人才之一，胡文在回国创业时选择落地济南，将研发方向聚焦于铌酸锂薄膜芯片材料。这一选择基于济南在晶体材料领域的产业基础，当地集聚了山东大学晶体材料研究所、中国建材人工晶体研究院等产学研机构，并拥有充足的人才储备。

公司的研发历程始于2010年。经过三年多的技术攻关，晶正电子于2014年在行业内率先研制出直径3英寸的纳米厚度铌酸锂薄膜，并实现了批量生产。据胡文介绍，这一突破曾引起哈佛大学教授Loncar的关注，在派学生实地验证后，Loncar决定将研究方向依托于该材料，并在此后数年产出多篇研究成果。

目前，晶正电子的产品已进入全球200余家高科技企业及科研机构，主要应用于高速电光调制器芯片、5G滤波器、探测器、光纤通讯及量子通讯等领域。胡文将公司的角色比喻为“磨面粉的人”，即加工基础材料，为下游企业制造光芯片、滤波器等“主食”提供支持。

随着人工智能、5G向6G演进以及光通信速率向1.6T以上跃进，传统材料面临物理极限，铌酸锂薄膜及其复合材料因其高性能、低损耗、高集成度等特性成为关键材料。胡文指出，光模块主流速率正向1.6T加速推进，这将进一步释放铌酸锂薄膜的市场价值。

为应对市场需求，晶正电子规划的新生产基地达产后，预计年产50万片薄膜材料。公司未来将重点布局大尺寸纳米厚度铌酸锂薄膜复合材料，以支持高速电光调制器和射频器件等领域的需求。

在企业发展过程中，晶正电子获得了地方政府的多方面支持，包括启动资金、实验室建设、厂房建设及研发费用等。公司近年来已完成四轮融资，获得了包括毅达资本、源创多盈在内的多家机构投资。胡文表示，数亿元社会资本的投入，有力支持了产品的升级和产能的扩张。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：观察君